ETF 收评 | 全球首款2nm手机芯片诞生,科创 100ETF 华夏(588800)、科创半导体 ETF(588170)强势上涨
2025年12月22日 | 浏览量:31918
今日上证指数涨 0.69%,科创 100 等成长类指数同步走强,半导体板块领涨市场,对相关 ETF 形成强力联动支撑;成长风格板块集体回暖,科创 100、半导体细分方向情绪升温,科创 100ETF 华夏(588800)、科创半导体 ETF(588170)受板块情绪带动走强。

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ETF 方面,科创 100ETF 华夏(588800)今日开盘后快速冲高至日内高点,随后维持高位震荡,尾盘小幅整理收涨 1.33%,多头主导性明确;上行过程中量能同步释放,今日成交量接近短期均值,买盘承接力度较强,整体属于量价匹配的强势结构。

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科创半导体 ETF(588170)今日开盘后快速冲高,盘中维持高位震荡,尾盘收涨 4.20%,多头主导性极强;上行阶段量能显著放大,今日成交量高于短期均值,买盘跟进积极,属于量价高度匹配的强势上涨结构。
从均线系统来看,科创 100ETF 华夏(588800)今日收盘价站稳 MA5、MA10 等短期均线,收盘突破60日均线,短期支撑稳固,多头动能有所增强;科创半导体 ETF(588170)今日收盘价站稳各短期均线,KDJ 虽进入超买区间,但 MACD 红柱持续放大,中期趋势走强信号明确。
消息面上,三星在全球移动半导体行业投下一颗重磅炸弹:正式推出业内首款2纳米工艺智能手机应用处理器——Exynos 2600系统芯片。这款芯片是由三星电子设备解决方案事业部下属的系统LSI业务部门设计,通过三星自营的晶圆厂采用2纳米环绕栅极(GAA)工艺制造而成的,采用了基于Arm v9.3架构的新10核CPU设计,由一个高性能核心以高达3.8GHz的频率运行,辅以3个性能核心和6个效率核心,三星宣称其性能提升了高达39%。
东吴证券指出,晶圆制造资本开支迈入新台阶,先进制程与封装加速突围。展望2026年,国内Fab厂将迎来存储与先进逻辑的双重“扩产大年”,强力支撑晶圆代工景气度维持高位。在此背景下,半导体设备板块有望演绎“β+α”共振行情,建议关注受益于扩产红利的行业龙头及具备技术兑现逻辑的成长标的。与此同时,在AI算力爆发与外部封锁倒逼下,产业链正加速构建“前道光刻机自主可控+后道先进封装性能跃升”的双轮驱动格局:龙头企业在光刻机整机及核心零部件领域加速破局,厂商则依托2.5D/3D先进封装技术筑牢算力底座,共同重构国产高性能芯片供应链的坚实壁垒。

本文来源:生活悦享网
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